Mos FoM
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「Mos FoM」文章包含有：「MOSFET简介」、「Vishay專家提醒你：要重新思考功率MOSFET的優點！」、「了解提升功率密度的權衡與技術(Rev.C)」、「当下公认的MOSFET品质因数还有意义吗？」、「意法半導體第三代SiC平台引領電晶體FoM的進步」、「氮化鎵功率電晶體的基礎」、「菜鳥選擇MOSFET的四步驟！」、「針對同步整流最佳化中壓功率MOSFET成效卓著」
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MOSFET简介
https://cn.shindengen.co.jp
因此，在比较MOSFET的性能时，应采用FOM(Figure of Merit)即“性能指数”来进行比较。 FOM包括Ron×Ciss、Ron×Qg、Ron×A等。 总之，要比较“芯片尺寸很小的同时ON电阻也很 ...
Vishay 專家提醒你：要重新思考功率MOSFET 的優點！
https://www.wpgdadatong.com
... FOM正在日益被用作MOSFET的規格（specmanship）要素。 MOSFET FOM 最簡單、最廣泛使用的定義是 Rds x Qg 乘積。 每個新的MOSFET 產品線發佈時，都會 ...
了解提升功率密度的權衡與技術(Rev. C)
https://www.ti.com
各種MOSFET 技術關閉能源損耗。 因此TI 最近開發了一系列閘極驅動器技術，除了可降低. RQ FoM MOSFET 外也可實現高切換速度，進而改善電荷. 與轉換損耗，但仍可讓MOSFET ...
当下公认的MOSFET品质因数还有意义吗？
https://efficiencywins.nexperi
从导通和开关性能的角度来看，我们都习惯于将MOSFET的品质因数(FOM)视作漏极至源极通态电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的乘积。 FOM = RDS(on) x Qg. 在下定义 ...
意法半導體第三代SiC平台引領電晶體FoM的進步
https://www.ctee.com.tw
服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出第三代STPOWER碳化矽（SiC） MOSFET電晶體。
氮化鎵功率電晶體的基礎
https://epc-co.com
常用的. 指標FOM是RDS(on)乘以QG，顯示了元件在開啓. 狀態及切換時的表現。圖7展示了氮化鎵電. 晶體與最優異矽MOSFET 100V器件之FOM比. 較。當電壓增加，其RxQFOM更具優勢 ...
菜鳥選擇MOSFET的四步驟！
https://www.shikues.com
這個“優值系數”(FOM)總結了器件的性能，可以用典型值或最大值來比較MOSFET。要保證在器件中進行準確的比較，妳需要確定用於RDS(on) 和Qg的是相同的VGS，在 ...
針對同步整流最佳化中壓功率MOSFET成效卓著
https://www.2cm.com.tw
... MOSFET的主流。這主要是因為這種元件不僅特徵導通阻抗特別低，而且能夠在BVDSS範圍內獲得出色的RDS(on)×QG品質因數(FOM)。 溝槽式閘極結構可以大幅 ...